Изменение в режиме работы!
В связи с праздниками наш главный офис не работает с 1 по 4 мая и с 8 по 11 мая.
С праздником Труда и с днем Великой Победы!
Интернет-магазин цифровой техники с доставкой по России
Итого:
0 ₽
тип: DDR4, объем: 1 модуль 8 ГБ, частота: 2666 МГц (21300 МБ/с), CAS Latency (CL): 19, напряжение питания: 1.2 В, буферизованная (Registered): нет, поддержка ECC: нет, низкопрофильная (Low Profile): нет, поддержка XMP: нет, форм-фактор: DIMM 288-контактный
Этот товар временно недоступен для заказа
Модули памяти DDR4 созданы с учетом требований новейших платформ Intel. Поколение DDR4 является в настоящее время самым популярным форматом модулей памяти, который выбирают пользователи.
По сравнению с предшествующими технологическими решениями модули DDR4 отличаются напряжением питания на уровне 1,2 В, благодаря чему возможно снижение стоимости эксплуатации оборудования и повышение экономии электроэнергии до 40%.
Отличающаяся, по сравнению с памятью старшего поколения, конструкция печатных плат модулей DDR4 значительно повышает устойчивость к механическим повреждениям и скачкам напряжения в устройстве. Благодаря этому модули DDR4 отличаются надежностью и стабильностью работы даже в наименее благоприятных рабочих условиях.
Отзывы к товару Модуль памяти GoodRAM 8Gb 2666MHz DDR4 (GR2666D464L19S/8G)
Оставить отзыв о товаре