Интернет-магазин цифровой техники с доставкой по России

(812) 333-31-13
обратный звонок
Купить Накопитель SSD Samsung 1Tb 980 MZ-V8V1T0BW Накопитель SSD Samsung 1Tb 980 MZ-V8V1T0BW Цена 9 499 руб. ✅ в интернет-магазине «Система» ☎ (812) 333-31-13 Звоните!
Артикул: MZ-V8V1T0BW

назначение: для ноутбука и настольного компьютера, форм-фактор: M.2 2280, подключение: PCI-E 3.0 x4, скорость записи/чтения: 3000/3500 МБ/с, буферная память: HMB (Host Memory Buffer), тип флэш-памяти: V-NAND 3-bit MLC, объем: 1 ТБ

Коротко о товаре

  • Производитель
    Samsung
  • Гарантия
    1 год
  • Игровой
    Да
  • Тип флэш-памяти
    V-NAND 3-bit MLC
  • Контроллер
    Samsung Pablo
  • Линейка
    980
Последняя цена: 9 499
О бонусах
Когда этот товар появится в продаже,
цена может измениться как в большую,
так и в меньшую сторону
+ 95 бонусов
О бонусах
- Начисляется 1% от суммы товаров
- Можно погасить до 100% от общей суммы заказа
- Для зачисления бонусов необходимо зарегистрироваться
Нет в наличии
Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих
персональных данных и соглашаетесь с политикой конфиденциальности
cea64b766a934d578da290e020b63348

Товар может поступить уже скоро!

Оставьте нам свою почту и мы уведомим Вас о его поступлении.
Это займёт всего пару секунд. Уверяем, от нас спама не будет! 🙂

Уведомим о поступлении!

Это займёт всего несколько секунд.

Накопитель SSD Samsung 1Tb 980 MZ-V8V1T0BW
Нет в наличии
Доставка в
Общие характеристики
Производитель
Samsung
Гарантия
1 год
Игровой
Да
Тип флэш-памяти
V-NAND 3-bit MLC
Контроллер
Samsung Pablo
Линейка
980
Назначение
для ноутбука и настольного компьютера
Форм-фактор
2280
Количество дисков
1
Характеристики накопителя
Вид накопителя
Стационарный
Расположение
внутренний
Объем
1 ТБ
Скорость записи
3000 Мб/с
Скорость чтения
3500 Мб/с
Скорость случайного чтения (4Кб)
500000 IOPS
Скорость случайной записи (4Кб)
480000 IOPS
Интерфейс
Разъем M.2
есть
Подключение
PCI-E 3.0 x4
Макс. скорость интерфейса
4 Гбайт/с
Поддержка стандарта NVMe
есть
Поддержка TRIM
есть
Механика/Надежность
Время наработки на отказ
1500000 ч
Ударостойкость при работе
1500 G
Ударостойкость при хранении
1500 G
Суммарное число записываемых байтов (TBW)
600 ТБ
Максимальная рабочая температура
70 °C
Дополнительно
Поддержка технологий
TRIM, NVMe, Шифрование данных
Потребляемая мощность
3.7 Вт
Длина
80.15 мм
Ширина
22.15 мм
Толщина
2.38 мм
Вес
8 г
При использовании данного сайта вы подтверждаете свое согласие на использование cookie-файлов в соответствии с нашей политикой приватности.