Интернет-магазин цифровой техники с доставкой по России

(812) 333-31-13
обратный звонок
Купить Накопитель SSD Samsung PCI-E x4 2Tb MZ-V7E2T0BW 970 EVO M.2 2280 Накопитель SSD Samsung PCI-E x4 2Tb MZ-V7E2T0BW 970 EVO M.2 2280 Цена 42 114 руб. ✅ в интернет-магазине «Система» ☎ (812) 333-31-13 Звоните!
Артикул: MZ-V7E2T0BW

назначение: для ноутбука и настольного компьютера, форм-фактор: 2280, подключение: PCI-E 3.0 x4, разъем M.2: да, скорость записи/скорость чтения: 2500/3500 МБ/с, скорость случайной записи: 480000 IOPS, тип флэш-памяти: TLC 3D NAND, контроллер: Samsung Phoenix, буфер: 2048 МБ, объем: 2 ТБ

Коротко о товаре

  • Производитель
    Samsung
  • Гарантия
    5 лет
  • Тип флэш-памяти
    TLC 3D NAND
  • Контроллер
    Samsung Phoenix
  • Назначение
    для ноутбука и настольного компьютера
  • Форм-фактор
    2280
Последняя цена: 42 114
О бонусах
Когда этот товар появится в продаже,
цена может измениться как в большую,
так и в меньшую сторону
+ 421 бонусов
О бонусах
- Начисляется 1% от суммы товаров
- Можно погасить до 100% от общей суммы заказа
- Для зачисления бонусов необходимо зарегистрироваться
Нет в наличии
Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих
персональных данных и соглашаетесь с политикой конфиденциальности
4f2b4e1f1b1d9379dbe7f9bad70f86ef

Товар может поступить уже скоро!

Оставьте нам свою почту и мы уведомим Вас о его поступлении.
Это займёт всего пару секунд. Уверяем, от нас спама не будет! 🙂

Уведомим о поступлении!

Это займёт всего несколько секунд.

Накопитель SSD Samsung PCI-E x4 2Tb MZ-V7E2T0BW 970 EVO M.2 2280

Этот товар временно недоступен для заказа

Доставка в
Общие характеристики
Производитель
Samsung
Гарантия
5 лет
Тип флэш-памяти
TLC 3D NAND
Контроллер
Samsung Phoenix
Назначение
для ноутбука и настольного компьютера
Форм-фактор
2280
Характеристики накопителя
Объем
2 ТБ
Скорость записи/Скорость чтения
2500/3500 МБ/с
Скорость случайной записи (4Кб)
480000 IOPS
Объем буферной памяти
2048 МБ
Интерфейс
Разъем M.2
есть
Подключение
PCI-E 3.0 x4
Поддержка стандарта NVMe
есть
Поддержка TRIM
есть
Механика/Надежность
Время наработки на отказ
1500000 ч
Ударостойкость при работе
1500 G
Ударостойкость при хранении
1500 G
Суммарное число записываемых байтов (TBW)
1200 ТБ
Максимальная рабочая температура
70 °C
Дополнительно
Поддержка технологий
TRIM
Потребляемая мощность
6 Вт
Шифрование данных
есть
Размеры (ШхВхД)
22x2.38x80 мм
Вес
8 г
При использовании данного сайта вы подтверждаете свое согласие на использование cookie-файлов в соответствии с нашей политикой приватности.